《纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究/清华大学优秀博士学位论文丛书》深入研究了纳米体硅CMOS工艺逻辑电路中单粒子效应的产生与传播受电路工作电压、频率和版图结构等电路内在因素，以及温度和总剂量两种空间环境变量的影响规律及其机理。具体包括：①量化了SEU软错误在逻辑电路中的传播概率模型，并将其应用到单粒子效应的实验评估中，同时提出SEU软错误的加固策略；②研究了保护环加固与商用版图结构电路对单粒子多瞬态效应的敏感性差异；③研究了逻辑电路的单粒子软错误截面变化受工作电压和测试向量的影响；④研究了不同电路工作电压下逻辑电路的单粒子软错误截面随温度的变化。
　　《纳米体硅CMOS工艺逻辑电路单粒子效应研究/清华大学优秀博士学位论文丛书》可供纳米集成电路辐射效应、单粒子效应的科研人员，以及抗辐射集成电路设计的工程师参考阅读。