纳米技术的发展催生了只有几个分子厚度的半导体结构，这给该结构中电子和声子的物理带来了重要影响。《半导体多层膜中的电子和声子(第二版)（英文影印版）》阐述了量子阱和量子线中的电子和声子囚禁对半导体特性的影响。第二版中加入了电子自旋弛豫、六角纤锌晶格、氮化物结构和太赫兹源等方面的内容。本书独特之处在于对光学声子的微观理论的阐述，其由囚禁引起的径向性质改变以及与电子的相互作用等。
　　本书适合半导体物理领域的研究者和研究生阅读。